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半導體晶體生長系列
· 氮化鎵晶體生長室（高溫高壓鈉流法）
用途：
主要用于電力能源燃料芯塊及燃料小球、燃料大球的燒結處理。
用于各種連續生產建線，從低溫到高溫、稱重、封裝、轉移連續化生產。
最高溫度可達到2500℃。真空度可達到1.0×10-6Pa。
新型加熱室結構，加熱更均勻，損耗功率小，更節能。可同時滿足氫氣氛燒結功能。
可選項：
爐體形式：立式，臥式
真空泵組：進口；國內優質品牌
目前該設備已形成系列化產品，不在系列范圍內的可根據客戶要求定制。
地址：沈陽市大東區萬柳塘路2號
傳真：024-24809927
Email：yb@sy-vac.com
網址：m.gzgxdz.com.cn
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